首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   13005篇
  免费   1861篇
  国内免费   3632篇
化学   7081篇
晶体学   413篇
力学   834篇
综合类   165篇
数学   5365篇
物理学   4640篇
  2024年   25篇
  2023年   144篇
  2022年   274篇
  2021年   357篇
  2020年   420篇
  2019年   419篇
  2018年   419篇
  2017年   585篇
  2016年   723篇
  2015年   500篇
  2014年   812篇
  2013年   1537篇
  2012年   1084篇
  2011年   1053篇
  2010年   939篇
  2009年   992篇
  2008年   1038篇
  2007年   971篇
  2006年   807篇
  2005年   774篇
  2004年   628篇
  2003年   548篇
  2002年   516篇
  2001年   417篇
  2000年   348篇
  1999年   331篇
  1998年   295篇
  1997年   232篇
  1996年   229篇
  1995年   204篇
  1994年   181篇
  1993年   126篇
  1992年   103篇
  1991年   65篇
  1990年   70篇
  1989年   55篇
  1988年   50篇
  1987年   35篇
  1986年   27篇
  1985年   22篇
  1984年   21篇
  1983年   17篇
  1982年   26篇
  1981年   19篇
  1980年   13篇
  1979年   9篇
  1978年   8篇
  1977年   5篇
  1976年   7篇
  1975年   6篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 125 毫秒
1.
2.
3.
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法对Sc、Ce单掺和共掺后CrSi2的几何结构、电子结构、复介电函数、吸收系数和光电导率进行了计算。结果表明:Sc、Ce掺杂CrSi2的晶格常数增大,带隙变小。本征CrSi2的带隙为0.386 eV,Sc、Ce单掺及共掺CrSi2的禁带宽度分别减小至0.245 eV、0.232 eV、0.198 eV,费米能级均向低能区移动进入价带。由于Sc的3d态电子和Ce的4f态电子的影响,Sc、Ce掺杂的CrSi2在导带下方出现了杂质能级。掺杂后的CrSi2介电函数虚部第一介电峰峰值增加且向低能方向移动,说明Sc、Ce掺杂使得CrSi2在低能区的光跃迁强度增强,Sc-Ce共掺时更明显。Sc、Ce掺杂的CrSi2吸收边在低能方向发生红移,在能量大于21.6 eV特别是在位于31.3 eV的较高能量附近,本征CrSi2几乎不吸收光子,Sc单掺和Sc-Ce共掺CrSi2吸收光子的能力有所增强,并在E=31.3 eV附近形成了第二吸收峰。说明掺杂Sc、Ce改善了CrSi2对红外和较高能区光子的吸收。在小于3.91 eV的低能区掺杂后的CrSi2光电导率增加。在20.01 eV<E<34.21 eV时,本征CrSi2光电导率为零,但Sc、Ce掺杂后的体系不为零,掺杂拓宽了CrSi2的光响应范围。研究结果为CrSi2基光电器件的应用与设计提供了理论依据。  相似文献   
4.
5.
Applied Mathematics and Mechanics - Mechanical models of residually stressed fibre-reinforced solids, which do not resist bending, have been developed in the literature. However, in some residually...  相似文献   
6.
WS2由于其优异的物理和光电性质引起了广泛关注。本研究基于第一性原理计算方法,探索了本征单层WS2及不同浓度W原子替位钇(Y)掺杂WS2的电子结构和光学特性。结果表明本征单层WS2为带隙1.814 eV的直接带隙半导体。进行4%浓度(原子数分数)的Y原子掺杂后,带隙减小为1.508 eV,依旧保持着直接带隙的特性,随着Y掺杂浓度的不断增大,掺杂WS2带隙进一步减小,当浓度达到25%时,能带结构转变为0.658 eV的间接带隙,WS2表现出磁性。适量浓度的掺杂可以提高材料的导电性能,且掺杂浓度增大时,体系依旧保持着透明性并且在红外光和可见光区对光子的吸收能力、材料的介电性能都有着显著提高。本文为WS2二维材料相关光电器件的研究提供了理论依据。  相似文献   
7.
黄瑞琴  王胜  刘峥  唐群  魏润芝 《人工晶体学报》2022,51(11):1944-1951
将有机物2,5-二溴对苯二甲酸(H2L1)和2,2′-联吡啶(L2)作为双配体,使用溶剂热法和七水合硫酸锌(ZnSO4·7H2O)、六水合硝酸钴(Co(NO3)2·6H2O)分别反应,得到配合物[Zn(L1)(L2)(H2O)]n(1)和配合物[Co(L1)(L2)(H2O)]n(2)。采用单晶X射线衍射、元素分析、红外光谱、紫外光谱、荧光光谱、热重分析等测试方法对这两种物质进行分析研究。单晶测试结果表明配合物1是单斜晶系,以Zn2+配位连接L2-1与L2形成一维链状结构,各条链在分子间氢键和π…π共轭作用下有规律地堆叠形成三维网络结构。配合物2是三斜晶系,Co1离子和Co1i离子由H2L1上的羧酸氧原子O4和O4i连接,形成双齿螯合的配位结构单元,以Co2+配位连接 L2-1和L2形成二维网格结构,各层在O—H…O分子间氢键和范德瓦耳斯力作用下有规律的堆叠形成三维网络结构。配合物1和2均含有芳香杂环、羧基杂环和氮杂环,具有良好的荧光性质和热稳定性,最大发射波长分别为345 nm和333 nm。  相似文献   
8.
9.
Ultrasound has been recognized as an exciting tool to enhance the therapeutic efficacy in tumor chemotherapy owing to the triggered drug release, facilitated intracellular drug delivery, and improved spatial precision. Aiming for a precise localized drug delivery, novel dendritic polyurethane-based prodrug (DOX-DPU-PEG) was fabricated with a drug content of 18.9% here by conjugating DOX onto the end groups of the functionalized dendritic polyurethane via acid-labile imine bonds. It could easily form unimolecular micelles around 38 nm. Compared with the non-covalently drug-loaded unimolecular micelles (DOX@Ph-DPU-PEG), they showed excellent pH/ultrasound dual-triggered drug release performance, with drug leakage of only 4% at pH 7.4, but cumulative release of 14% and 88% at pH 5.0 without and with ultrasound, respectively. The ultrasound responsiveness was attributed to the unique strawberry-shaped topological structure of the DOX-DPU-PEG, in which DOX was embedded in the skin layer of the hydrophobic DPU cores. With ultrasound, the DOX-DPU-PEG unimolecular micelles possessed enhanced tumor growth inhibition than free DOX but showed no obvious cytotoxicity on the tumor cells without ultrasound. Such feature makes them promising potential for precise localized drug delivery.  相似文献   
10.
弛豫铁电单晶Pb(In1/2Nb1/2)O3-PbTiO3(PIN-PT)相较于常用的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PMN-PT)具有更高的居里温度,在高稳定性、高性能的传感器、换能器方面具有应用前景。本工作采用谐振法研究了[001]方向极化的0.66PIN-0.34PT铁电单晶的全矩阵机电性能参数。0.66PIN-0.34PT 单晶的三方-四方相变温度(TRT)约为160 ℃,居里温度(TC)约为260 ℃,室温压电系数d33d31d15分别为1 340 pC/N、-780 pC/N、321 pC/N,介电常数εT33、εS33、εT11、εS11分别为2 700、905、2 210、1 927,机电耦合系数 k33k31k15kt分别为 87%、58%、38%、61%。其纵向压电常数(d33)和纵向机电耦合系数(k33)小于 PMN-PT 单晶,但是横向压电性能(d31)和剪切压电性能(d15)都略高于PMN-PT单晶。另外,研究了机电耦合性能随温度的变化趋势,发现0.66PIN-0.34PT单晶在150 ℃以下有较好的温度稳定性。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号